无线电电子学论文_中国集成电路上市企业技术创
发布时间 | 2022-03-25
1 文献综述
2 Tobit回归模型构建与数据处理
2.1 被解释变量选取
2.2 解释变量选取
1)政府补助(Gov)。
2)金融支持(Fin)。
3)R&D人员投入强度(RPI)。
4)R&D经费投入强度(RFI)。
5)企业规模(Lgsize)。
6)企业盈利能力(Pro)。
2.3 Tobit模型构建
2.4 数据来源及处理
3 实证结果分析
3.1 技术创新效率测度结果的动态特征
3.2 Tobit模型结果分析
3.3 稳健性检验
4 结论与建议
文章摘要:基于2015—2019年中国集成电路产业59家上市企业技术创新投入产出数据，在技术创新效率测度的基础上，利用Tobit模型对中国集成电路上市企业技术创新效率影响因素进行研究。结果表明：集成电路上市企业技术创新效率总体处于低水平阶段，且呈下降趋势；知识生产效率明显高于成果转化效率，成果转化效率低是造成技术创新效率低的主要原因；政府补助、R&D人员投入强度、R&D经费投入强度、企业规模4个指标负向影响技术创新效率；金融支持力度正向促进技术创新效率提升；盈利能力对技术创新效率影响较小。在此基础上，为促进中国集成电路上市企业技术创新效率提升提出了针对性改进建议。
文章关键词:
论文分类号:F832.51;F426.63;F273.1
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